(新素材創製) 両面陽極酸化アルミナを用いた抵抗スイッチングメモリ構造体 Resistive switching memory structure using double-sided-anodized porous alumina (文責: 2年生N.S.)

インジウムスズ酸化物(や酸化亜鉛などの透明電極と組み合わせることにより、透明な不揮発性メモリを作ることが可能になります。This structure becomes a transparent nonvolatile memory by combining with a transparent electrode such as Indium Tin Oxide (ITO) or ZnO.